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2SK3820-DL-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK3820-DL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
3200
ON Semiconductor
ROHS
1308+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

2SK3820-DL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6755
ON Semiconductor
TO-263-3，D²Pak（
201321
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

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您是不是要找： 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892

2SK3820-DL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

2SK3820-DL-E 技術參數

2SK3820-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SK3817-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK3816-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1780pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK3816-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1780pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SK3813-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251（MP-3）標準包裝:1,000 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS