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原廠原裝現貨

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北京元坤偉業科技有限公司
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深圳市德力誠信科技有限公司
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深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
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公司現貨庫存，全新原裝正品。假一罰十,可...

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：王
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優勢庫存，原裝正品

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深圳市毅創輝電子科技有限公司
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天陽誠業科貿有限公司
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地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：洪寶宇
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地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
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優勢庫存，原裝正品

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深圳市芯馳科技有限公司
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聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
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功能描述
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF7379QTR 技術參數

AUIRF7379Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A，4.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7343QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7343Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:95 AUIRF7342QTR 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 3.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7342Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 3.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7669L2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7734M2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q

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