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BF1217WR,115

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功能描述
MOSFET N-CH dual gate MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BF1217WR,115 技術參數

BF1216,115 功能描述:FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:19mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:6V 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 BF1215,115 功能描述:FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.5dB 電流 - 測試:19mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:6V 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 BF1214,115 功能描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 31dB 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:31dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:18mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:6V 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:3,000 BF1212WR,115 功能描述:MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:12mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:6V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BF1212R,215 功能描述:MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:12mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:6V 封裝/外殼:SOT-143R 供應商器件封裝:SOT-143R 標準包裝:1 BF14-8C BF-150.000MBE-T BF-150.000MCE-T BF-156.250MBE-T BF-156.250MCB-T BF-156.250MCE-T BF1719 BF-1778-000 BF1835 BF1835-9 BF-1859-000 BF-1860-000 BF-1861-000 BF18-6C BF18-6L BF-187PA/KOEM BF-1921-000 BF-1922-000