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BUZ32

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 9.5A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUZ32 技術(shù)參數(shù)

BUZ31L H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ31L E3044A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BUZ31L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ31HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ31H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A BV020-5370.0

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