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AOB10B65LN3

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AOB10B65LN3 技術參數

AOB10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:800 AO-AGSM-OM54 功能描述:ANTENNA GSM / UMTS OMNI 7DB - OM 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件狀態:在售配件類型:天線配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO9926BL 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AOB12N50L AOB12N60FDL AOB12N65L AOB12T60PL AOB1404L AOB14N50 AOB15B60D AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L