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AON7556

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說明
操作

AON7556
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
AOS
DFN3x3
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AON7556
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
12005
AOS
DFN3*3
1528
-
原裝現貨/特價

AON7556
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
DFN33
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

AON7556
深圳市寶芯創電子有限公司
深圳市寶芯創電子有限公司
聯系人：田女生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規13%專
資質：營業執照
59990
AO/萬代
DFN-83.33
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 12A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Ta），12A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
10.5 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
600pF @ 15V
功率 - 最大值
4.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
供應商器件封裝
8-DFN（3x3）
標準包裝
1

AON7556 技術參數

AON7548_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），24A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:5,000 AON7548 功能描述:MOSFET N-CH DFN 3X3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:5,000 AON7544 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:951pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:23W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:5,000 AON7538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）標準包裝:1 AON7536 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2350pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標準包裝:1 AON7758 AON7758_001 AON7760 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314