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APT10045LLLG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT10045LLLG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT10045LLLG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-264L
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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1

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APT10045LLLG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1000V 23A TO-264
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 7®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT10045LLLG 技術(shù)參數(shù)

APT10045JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10045B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT1003RKLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:694pF @ 25V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT1003RBLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:694pF @ 25V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10035LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5185pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG