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APT100GLQ65JU3

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT100GLQ65JU3
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專營優勢產品

APT100GLQ65JU3
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

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您是不是要找： APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3

APT100GLQ65JU3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT100GLQ65JU3 PDF下載

功能描述
IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
配置
單斬波器
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
165A
功率 - 最大值
430W
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.3V @ 15V，1000A
電流 - 集電極截止（最大值）
50μA
不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
6.1nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
工作溫度
-55°C ~ 175°C
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝
ISOTOP?
標準包裝
1

APT100GLQ65JU3 技術參數

APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:103A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:100A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B