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APT102GA60L

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT102GA60LMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-264
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT102GA60L
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
50
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT102GA60L
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT102GA60L
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
APT(MICROSEMI)
TO-264 [L]
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT102GA60L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APT102GA60L
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-264/TO-3PL
25+
-
國產品牌，替代進口

APT102GA60L
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
250
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT102GA60L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-264L
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

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1

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APT102GA60L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT102GA60L PDF下載

功能描述
IGBT 600V 183A 780W TO264
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
-
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT102GA60L 技術參數

APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:294nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/212ns 測試條件:400V，62A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT100S20LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT100S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT100MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:143A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG