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BLF4G20LS-130,112

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF4G20LS-130,112 技術參數

BLF4G20LS-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:650mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF4G20-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:700mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:60 BLF4G10LS-160,112 功能描述:FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:894.2MHz 增益:19.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:15A 噪聲系數:- 電流 - 測試:900mA 功率 - 輸出:160W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF4G10LS-120,112 功能描述:FET RF 65V 960MHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:920MHz ~ 960MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:650mA 功率 - 輸出:48W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:20 BLF4G10-160,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894MHz 19.7dB 160W LDMOST 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:894MHz 增益:19.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:15A 噪聲系數:- 電流 - 測試:900mA 功率 - 輸出:160W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:60 BLF573,112 BLF573S,112 BLF574,112 BLF574XR,112 BLF574XRS,112 BLF578,112 BLF578XR,112 BLF578XRS,112 BLF640U BLF642,112 BLF644PU BLF645,112 BLF647,112 BLF647P,112 BLF647PS,112 BLF647PSJ BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-160RN,112