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BLF4G22S-100,112

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF4G22S-100,112 技術(shù)參數(shù)

BLF4G22LS-130,112 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:LDMOS 頻率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:15A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.15A 功率 - 輸出:33W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 BLF4G20S-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:12A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:700mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF4G20LS-130,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:14.6dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:15A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:900mA 功率 - 輸出:130W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 BLF4G20LS-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.4dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:12A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:650mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 BLF4G20-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:12A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:700mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應(yīng)商器件封裝:LDMOST 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 BLF574XR,112 BLF574XRS,112 BLF578,112 BLF578XR,112 BLF578XRS,112 BLF640U BLF642,112 BLF644PU BLF645,112 BLF647,112 BLF647P,112 BLF647PS,112 BLF647PSJ BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,135

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