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BLP8G10S-45PGJ

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功能描述
RF Mosfet LDMOS 700MHz ~ 1GHz 21dB 45W 4-HSOPF
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
晶體管類型
LDMOS
頻率
700MHz ~ 1GHz
增益
21dB
電壓 - 測試
-
額定電流
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
-
功率 - 輸出
45W
電壓 - 額定
28V
封裝/外殼
SOT-1223-1
供應商器件封裝
4-HSOPF
標準包裝
100

BLP8G10S-45PGJ 技術參數

BLP8G10S-270PWY 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS 4HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:718.5MHz ~ 765.5MHz 增益:20dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:2A 功率 - 輸出:56W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1221-2 供應商器件封裝:6-HSOPF 標準包裝:1 BLP8G05S-200Y 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1138-2 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 BLP8G05S-200GY 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W SOT1204-2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1204-2 供應商器件封裝:SOT1204-2 標準包裝:100 BLP7G22-10Z 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:2.14GHz 增益:16dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:110mA 功率 - 輸出:2W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:12-HVSON（5x6）標準包裝:1 BLP7G22-10,135 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 110mA 700MHz ~ 2.2GHz 27dB 2W 12-HVSON (5x6) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:700MHz ~ 2.2GHz 增益:27dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:110mA 功率 - 輸出:2W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:12-HVSON（5x6）標準包裝:500 BLP-SC000002 BLS2731-10,114 BLS2731-110,114 BLS2731-20,114 BLS2731-50,114 BLS2933-100,112 BLS3135-10,114 BLS3135-20,114 BLS3135-50,114 BLS3135-65,114 BLS6G2731-120,112 BLS6G2731-6G,112 BLS6G2731P-200,117 BLS6G2731S-120,112 BLS6G2731S-130,112 BLS6G2735L-30,112 BLS6G2735LS-30,112 BLS6G2933S-130,112