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BUK9E1R8-40E,127

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BUK9E1R8-40E,127 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包裝
管件
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.7 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
120nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
16400pF @ 25V
功率 - 最大值
349W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
供應商器件封裝
I2PAK
標準包裝
1,000

BUK9E1R8-40E,127 技術參數

BUK9E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:113nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16150pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E15-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2651pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E08-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:203W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E06-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:258W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E06-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E6R1-100E,127 BUK9E8R5-40E,127 BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9K12-60EX BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115 BUK9K20-80EX BUK9K22-80EX BUK9K25-40EX BUK9K29-100E,115 BUK9K30-80EX BUK9K32-100EX BUK9K35-60E,115 BUK9K45-100E,115 BUK9K52-60E,115 BUK9K5R1-30EX