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10AM05

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Bipolar/LDMOS Transistor

10AM05 技術參數

10A07-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A06-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:24V 頻率 - 躍遷:1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 400mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:55FT 供應商器件封裝:55FT 標準包裝:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG 10AS016E4F27E3SG