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10F202T-I/OT

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批號
價格
說明
操作

10F202T-I/OT
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
microchip
SOT-23-5
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

10F202T-I/OT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865300
MICROCHIP
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

10F202T-I/OT
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
5000
MICROCHIP
DIP
2012+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： 10-F40-10 10FHY-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 10FLH-SM1-TB(LF)(SN)(F) 10FLT-SM2-TB(LF)(SN) 10FLZ-RSM1-TB 10FLZ-SM1-TB 10FLZT-SM1-TF(LF)(SN)(P) 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN)

10F202T-I/OT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

10F202T-I/OT 技術參數

10ETS12STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 10ETS12STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 10ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應商器件封裝:TO-220AC 整包工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10ETS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 10FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) 10G00 10G03 10G08 10G09 10G36 10GBE-PCS-O4-B1 10GD27 10GEEG3E 10GEEG3EM