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1N4148-TG-WS

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1N4148-TG-WS 技術參數

1N4148-TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:8ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4148TA 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4148T-77 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA GSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:GSD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5,000 1N4148T-73 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA GSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:GSD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N4148T-72 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA GSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:GSD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5,000 1N4148UR-1 1N4148UR-1/TR 1N4148W RHG 1N4148W-13-F 1N4148W-7 1N4148W-7-F 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-18 1N4148WFL-G3-08 1N4148W-G RHG 1N4148W-G3-08 1N4148W-G3-18 1N4148W-HE3-08 1N4148W-HE3-18 1N4148W-HG3-08 1N4148W-HG3-18 1N4148WL2-TP 1N4148WLP-TP