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1N5228B-TAP(NOPB)

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1N5228B-TAP(NOPB) 技術參數

1N5228B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5228BTA 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5228B-T 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5229A (DO-35) 1N5229B 1N5229B (DO-35) 1N5229B A0G 1N5229B TR 1N5229B_S00Z 1N5229B_T26A 1N5229B_T50A 1N5229B_T50R 1N5229B-T 1N5229BTA 1N5229B-TAP 1N5229B-TP 1N5229BTR 1N5229B-TR 1N5229BUR-1 1N5229C 1N5229C-TAP