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1N5229BRL(0.5W4.3V)

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1N5229BRL(0.5W4.3V) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5229BRL(0.5W4.3V) 技術參數

1N5229B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5229B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5229B_T26A 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5229B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5229B TR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229C-TR 1N5229DO35E3 1N5229TA 1N5230A 1N5230A (DO-35) 1N5230B 1N5230B (DO-35) 1N5230B A0G 1N5230B BK 1N5230B TR 1N5230B_S00Z 1N5230B_T26A 1N5230B_T50A 1N5230B_T50R 1N5230BDO35 1N5230B-T 1N5230BTA 1N5230B-TAP