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1N5348BGOS+ 技術(shù)參數(shù)

1N5348BG 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5348BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5348BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5348BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5348B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5348E3/TR13 1N5348E3/TR8 1N5349/TR12 1N5349/TR8 1N5349A/TR12 1N5349A/TR8 1N5349AE3/TR12 1N5349AE3/TR13 1N5349AE3/TR8 1N5349B 1N5349B/TR8 1N5349BE3 1N5349BE3/TR12 1N5349BE3/TR13 1N5349BE3/TR8 1N5349BG 1N5349BRL 1N5349BRLG

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