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1N5417-E3/54

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

1N5417-E3/54
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
256
Vishay Semiconductors
標(biāo)準(zhǔn)封裝
25+
-
真實(shí)的資源竭誠服務(wù)您！

1N5417-E3/54
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8080
VISHAY/威世
SOD-64
23+
-
實(shí)實(shí)在在-只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419

1N5417-E3/54 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

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功能描述
整流器 3.0 Amp 200 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時(shí)間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5417-E3/54 技術(shù)參數(shù)

1N5417C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:4.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:250pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5417 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5416US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5416 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5415US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419E3 1N5419US 1N5420 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35)