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1N5811.

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制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
STANDARD DIODE 6A 150V G4

1N5811. 技術參數

1N5811 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5809US.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5809US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5809/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:B，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5809 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G