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1PS226/ROHS

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1PS226/ROHS 技術參數

1PS226,135 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:10,000 1PS226,115 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:15,000 1PS193,135 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:10,000 1PS193,115 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:15,000 1PS184,135 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:10,000 1PS66SB17,115 1PS66SB82,115 1PS70SB10,115 1PS70SB14,115 1PS70SB14/ZLF 1PS70SB14/ZLX 1PS70SB14F 1PS70SB15,115 1PS70SB16,115 1PS70SB20,115 1PS70SB40,115 1PS70SB44,115 1PS70SB45,115 1PS70SB46,115 1PS70SB82,115 1PS70SB84,115 1PS70SB85,115 1PS70SB86,115