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20ETF045TRL

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20ETF045TRL 技術參數

20ETF04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:160ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 20ETF02STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:160ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 20ETF02STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:160ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 20ETF02S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:160ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 20ETF02FP 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:160ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應商器件封裝:TO-220AC 整包工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 20ETF08S 20ETF08STRL 20ETF08STRR 20ETF10 20ETF10FP 20ETF10S 20ETF10STRL 20ETF10STRR 20ETF12 20ETF12FP 20ETF12S 20ETS08 20ETS08FP 20ETS08S 20ETS08STRL 20ETS08STRR 20ETS12 20ETS12FP