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20FKZ-RSM1-GAN-1-TB

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20FKZ-RSM1-GAN-1-TB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

20FKZ-RSM1-GAN-1-TB 技術參數

20-F40-10 功能描述:20 位插座連接器 0.200"（5.08mm）通孔錫制造商:aries electronics 系列:F40 包裝:散裝零件狀態:有效連接器類型:插座觸頭類型:母形插口針腳數:20 加載的針腳數:全部間距:0.200"（5.08mm）排數:2 排距:0.200"（5.08mm）安裝類型:通孔端接:焊接緊固類型:- 特性:- 觸頭鍍層:錫觸頭鍍層厚度:100μin（2.54μm）顏色:黑標準包裝:1 20ETS12STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 20ETS12STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 20ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 20ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應商器件封裝:TO-220AC 整包工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 20FMN-BMTTR-A-TB 20FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 20FMN-SMT-A-TF 20FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 20G LARGE 20GD27 20GEEG3E 20GEEG3EM 20GEEG3E-R 20GEEW3E 20GEEW3E-R 20GENG3E 20GENG3EM 20GENG3E-R 20GENW3E-R 20GM8M 20HS21N102JC 20HS21N221JC