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2N370/33

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2N370/33 技術參數

2N3663 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:2.1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:6.5dB @ 60MHz 增益:1.5dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 8mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N3637UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N3637L 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3637 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3636UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715 2N3716 2N3724 2N3724L 2N3724UB 2N3725 2N3725L 2N3725UB 2N3726 2N3727 2N3735