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2N6757

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操作

2N6757
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
200005
YXYBDT臺灣
TO-3
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

2N6757
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-3
25+
-
國產品牌，替代進口

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制造商
Harris Corporation
功能描述

2N6757 技術參數

2N6756 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA 標準包裝:1 2N6729 功能描述:DIE TRANS 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:25 2N6727 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1A，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6727 標準包裝:2,000 2N6726 功能描述:TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6726 標準包裝:2,000 2N6725 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6725 標準包裝:2,000 2N6770 2N6770T1 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U