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2SA1201Y(TE12L-C)

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2SA1201Y(TE12L-C) 技術參數

2SA1186 功能描述:TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:510 2SA1182-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1182-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1182-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1179N6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SA1298-Y,LF 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386