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2SA1588/ZG

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2SA1588/ZG 技術參數

2SA1587-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1587-BL,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1586-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1586SU-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1586SU-GR,LF(D 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:3,000 2SA1619ARA 2SA1619ASA 2SA1667 2SA1668 2SA1669-TB-E 2SA1673 2SA16740SA 2SA1680(F,M) 2SA1680(T6DNSO,F,M 2SA1680,F(J 2SA1680,T6ASTIF(J 2SA1680,T6F(J 2SA1680,T6SCMDF(J 2SA1693 2SA1694 2SA1695 2SA1705S-AN 2SA1705T-AN