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2SA1699E,D

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2SA1699E,D 技術參數

2SA1695 功能描述:TRANS PNP 140V 10A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1694 功能描述:TRANS PNP 120V 8A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1,020 2SA1693 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2A，4V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1680,T6SCMDF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA1680,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA1709T-AN 2SA1721OTE85LF 2SA1721RTE85LF 2SA1723 2SA1725 2SA1727TLP 2SA1727TLQ 2SA17380RL 2SA17390RL 2SA1746 2SA17480RL 2SA1748GRL 2SA1759T100P 2SA1761,F(J 2SA1761,T6F(J 2SA1761,T6F(M 2SA17670QA 2SA1768S-AN