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2SA1954/GB

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2SA1954/GB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SA1954/GB 技術參數

2SA1952TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SA1943RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:25 2SA1943OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:25 2SA1943-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3PL 供應商器件封裝:TO-3P（L）標準包裝:100 2SA1943N(S1,E,S) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:150 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E