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2SB1202T(PB)

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2SB1202T(PB) 技術參數

2SB1202S-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:1 2SB1202S-E 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:0.7mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SB1201T-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SB1201T-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SB1201S-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:1 2SB1203T-H-TL-E 2SB1203T-TL-E 2SB1203T-TL-H 2SB1204S-E 2SB1204S-TL-E 2SB1204T-E 2SB1204T-TL-E 2SB1205S-E 2SB1205S-TL-E 2SB1205T-E 2SB1205T-TL-E 2SB1215S-E 2SB1215S-H 2SB1215S-TL-E 2SB1215S-TL-H 2SB1215T-E 2SB1215T-H 2SB1215T-TL-E