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2SB896.

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2SB896. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SB896. 技術參數

2SB852KT146B 功能描述:TRANS PNP DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 400μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SB817C-1E 功能描述:TRANS PNP 140V 12A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:120W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P-3L 標準包裝:30 2SB815-7-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SB815-6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SB772 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 2SC0435T2F1-17 2SC0435T2G1-17 2SC0435T2H0-17 2SC0535T2A1-33 2SC0535T2G0-33 2SC055045-127-63L 2SC0635T2A1-45 2SC0650P2A0-17 2SC0650P2C0-17 2SC085065-127-70L 2SC13180RA 2SC1318ARA 2SC13830R 2SC13830S 2SC13840Q 2SC13840R 2SC13840S 2SC14730RA