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2SC5095-O/MEO

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2SC5095-O/MEO PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC5095-O/MEO 技術參數

2SC5095-O(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:13dB ~ 7dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SC5088-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 2SC5087YTE85LF 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 2SC5087R(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 2SC5087-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M) 2SC5201,F(J 2SC5201,T6F(J