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2SC5108-Y/MC

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2SC5108-Y/MC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC5108-Y/MC 技術參數

2SC5108-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:11dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5103TLQ 功能描述:TRANS NPN 60V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SC5103TLP 功能描述:TRANS NPN 60V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:2,500 2SC5101 功能描述:TRANS NPN 140V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SC5100 功能描述:TRANS NPN 120V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:- 標準包裝:1,080 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M) 2SC5201,F(J 2SC5201,T6F(J 2SC5201,T6MURAF(J 2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-5-TL-E 2SC5227A-4-TB-E 2SC5227A-5-TB-E 2SC5231A-8-TL-E 2SC5231A-9-TL-E 2SC5231C8-TL-E 2SC5232BTE85LF