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2SC5233B(TE85L)

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2SC5233B(TE85L) 技術(shù)參數(shù)

2SC5232BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SC5231C8-TL-E 功能描述:TRANS NPN 0.07A 10V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 2SC5231A-9-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 8.5dB @ 1GHz 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 20mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，鷗翼型供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 2SC5231A-8-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 2SC5227A-5-TB-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 20mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SC5336-T1-AZ 2SC5337-AZ 2SC5338-AZ 2SC5338-T1-AZ 2SC5347AE-TD-E 2SC5347AF-TD-E 2SC536300L 2SC536NF-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT 2SC5374A-TL-E 2SC5414AE 2SC5414AE-AA 2SC5414AF 2SC5414AF-AA 2SC5415AE-TD-E 2SC5415AF-TD-E 2SC54190RA 2SC5439(F)