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2SC5256FT-R(TE85R)

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2SC5256FT-R(TE85R) 技術參數

2SC5245A-4-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO UHF-LNA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 2SC5242RTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC5242OTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC5242-O(Q) 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SC5233BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5347AF-TD-E 2SC536300L 2SC536NF-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT 2SC5374A-TL-E 2SC5414AE 2SC5414AE-AA 2SC5414AF 2SC5414AF-AA 2SC5415AE-TD-E 2SC5415AF-TD-E 2SC54190RA 2SC5439(F) 2SC5454-A 2SC5454-T1-A 2SC5455-A 2SC5455-T1-A 2SC5459(TOJS,Q,M)