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2SD1410(K)

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2SD1410(K) 技術參數

2SD1407A-Y(F) 功能描述:TRANS NPN 100V 5A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 400mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SD1383KT146B 功能描述:TRANS NPN DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 400μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD13280TL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:400 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD13280SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD13280RL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD14740P 2SD1478ARL 2SD1484KT146Q 2SD1484KT146R 2SD14850P 2SD14990P 2SD15110RL 2SD1535 2SD1618S-TD-E 2SD1618T-TD-E 2SD1620-TD-E 2SD1623S-TD-E 2SD1623T-TD-E 2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-H 2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-H 2SD1628F-TD-E