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2SD2012/D2012

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2SD2012/D2012 技術參數

2SD2012 功能描述:TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 2SD20000P 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 400mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-A1 標準包裝:500 2SD19960TA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:400 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SD19960SA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SD19960RA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M 2SD2129,LS4ALPSQ(M 2SD21330RA 2SD21330SA 2SD21340RA 2SD21360QA