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2SD287B.

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2SD287B. 技術參數

2SD2707T2LV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:300nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SD2705STP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 4ma，2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:35MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD2704KT146 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 4ma，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:35MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2703TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SD2702TL 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323 2SE6 2SE62 2SE89 2SEPC1000MX 2SEPC1000MX+S 2SEPC100MZ 2SEPC100MZ+TSS 2SEPC2700M 2SEPC2700M+T 2SEPC330MW 2SEPC330MW+TSS 2SEPC330MZ