久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > 3字母型號搜索 >

3LN01SS-X

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

3LN01SS-X
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
7900
SANYO
SOT25/
02+
-
絕對公司原裝現貨

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： 3LN01S-TL-E 3LP01C-TB-E 3LP01C-TB-H 3LP01M-TL-E 3LP01M-TL-H 3LP01S-K-TL-E 3LP01SS-TL-E 3LP01SS-TL-EX 3LP01SS-TL-H

3LN01SS-X PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

3LN01SS-X 技術參數

3LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:8,000 3LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:SC-81（SSFP）標準包裝:1 3LN01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 3LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 / MCPH3 標準包裝:1 3LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 / MCPH3 標準包裝:1 3LP01S-TL-E 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100