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3LP02C-TL-E

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3LP02C-TL-E
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集好芯城
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聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
8223
SANYO
SOT-23
19+
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終端可以免費供樣，支持BOM配單！

3LP02C-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANYO
CP
最新批號
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代理此型號.原裝正品現貨！

3LP02C-TL-E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
72540
SANYO
CP
22+
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您是不是要找： 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250

3LP02C-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

3LP02C-TL-E 技術參數

3LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:1 3LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:8,000 3LP01SS-TL-EX 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT-623 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-SSFP 封裝/外殼:SC-81 標準包裝:8,000 3LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:1 3LP01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250 3M 1125 0.75"SQ-250 3M 1125 1" X 2"-100 3M 1125 1" X 3"-100 3M 1125 1" X 4"-100