久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來(lái)到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

管理采購(gòu) 發(fā)布采購(gòu)信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號(hào)搜索 >

ALD1108APCL

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

沒(méi)找到與 " ALD1108APCL " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購(gòu)

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

您是不是要找： ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL

ALD1108APCL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ALD1108APCL 技術(shù)參數(shù)

ALD110814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL