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APT50GN60SDQ2

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操作

APT50GN60SDQ2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Resonant Mode Combi IGBT

APT50GN60SDQ2 技術參數

APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開關能量:1185μJ（開），1565μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:325nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/230ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開關能量:1185μJ（開），1565μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:325nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/230ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 開關能量:4495μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:315nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/320ns 測試條件:800V，50A，2.2 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GN120B2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 開關能量:4495μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:315nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/320ns 測試條件:800V，50A，2.2 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG