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APT68GA60B2D40

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT68GA60B2D40
    APT68GA60B2D40

    APT68GA60B2D40

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3 Variant

  • 23+

  • -
  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT68GA60B2D40
    APT68GA60B2D40

    APT68GA60B2D40

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 18

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • APT68GA60B2D40
    APT68GA60B2D40

    APT68GA60B2D40

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • APT68GA60B2D40
    APT68GA60B2D40

    APT68GA60B2D40

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT68GA60B2D40
    APT68GA60B2D40

    APT68GA60B2D40

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共18條 
  • 1
APT68GA60B2D40 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 121A 520W TO-247
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi))
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT68GA60B2D40 技術(shù)參數(shù)
  • APT68GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:520W 開(kāi)關(guān)能量:715μJ(開(kāi)),607μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:298nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:21ns/133ns 測(cè)試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG
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