久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<abbr id="mwog6"></abbr>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 >

APT80GA90B2D40微波功率MOSFET管

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L APT84M50B2

APT80GA90B2D40微波功率MOSFET管 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT80GA90B2D40微波功率MOSFET管技術參數(shù)

APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:1652μJ（開），1389μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:200nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/149ns 測試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:840μJ（開），751μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:840μJ（開），751μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT80F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:598nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23994pF @ 25V 功率 - 最大值:961W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT8075BN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 6.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01