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APTM100H45STG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM100H45STG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APTM100H45STG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM100H45STG
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
8
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APTM100H45STG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
40
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG APTM100TDU35PG

APTM100H45STG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTM100H45STG PDF下載

功能描述
MOSFET FULL BRIDGE SER/PAR SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM100H45STG 技術參數

APTM100H45SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100H45FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100H35FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100H35FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100H18FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:43A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 21.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:372nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100U13SG APTM100UM45DAG APTM100UM45FAG APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G