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APTM100UM65DAG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APTM100UM65DAG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM100UM65DAG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G

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APTM100UM65DAG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM100UM65DAG 技術(shù)參數(shù)

APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:129A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 64.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1116nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:215A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM45DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:215A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100U13SG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2000nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:31600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100TDU35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG