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APTM20HM16FTG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM20HM16FTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM20HM16FTG
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
2000
ON/
new and original
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG

APTM20HM16FTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTM20HM16FTG PDF下載

功能描述
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM20HM16FTG 技術參數

APTM20HM10FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20HM08FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DUM10TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DUM08TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DUM05TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:333A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 166.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1184nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG