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APTM50AM19F

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批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTM50AM19FG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話(huà)：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APTM50AM19F
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
S108X62-7L
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET TRANSISTOR

APTM50AM19F 技術(shù)參數(shù)

APTM50AM17FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50A15FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:217nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:317A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:417A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 208.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG

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