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AUIRF1010ZSTRL

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封裝
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價格
說明
操作

AUIRF1010ZSTRL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRF1010ZSTRL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
IR
D2PAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

1/1頁 40條/頁共9條
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AUIRF1010ZSTRL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF1010ZSTRL 技術參數

AUIRF1010ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2840pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2840pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 AUIRF1010EZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 51A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF1010EZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 51A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRB24427STR 功能描述:IC GATE DRIVER 24V 6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效驅動配置:低壓側通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:5 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:6A，6A 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:33ns，33ns（最大）工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:2,500 AUIRF1404S AUIRF1404STRL AUIRF1404Z AUIRF1404ZL AUIRF1404ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1405 AUIRF1405ZL AUIRF1405ZS AUIRF1405ZS-7P AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZSTRL AUIRF2804 AUIRF2804L AUIRF2804S AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P